Name: TK60S10N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK60S10N1LLXHQTR-ND
Price: 2.508 EUR
Availability: InStock

Canal N 100 V 60 A (Ta) 180W (Tc) Montage en surface DPAK+

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TK60S10N1L,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK60S10N1LLXHQTR-ND - Bande et bobine 264-TK60S10N1LLXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK60S10N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK60S10N1L,LXHQ
Description	MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 60 A (Ta) 180W (Tc) Montage en surface DPAK+
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	TK60S10N1L,LXHQ Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Série U-MOSVIII-H	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4320 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 180W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Ta)	Boîtier fournisseur DPAK+
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,11mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base TK60S10
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 500µA