Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 2.052 EUR
Availability: InStock

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TK3P80E,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Bande et bobine 264-TK3P80E,RQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK3P80E,RQ
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 3 A (Ta) 80W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 300µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 500 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 80W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Ta)	Boîtier fournisseur DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,9ohms à 1,5A, 10V

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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