Name: TK13P25D,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK13P25D,RQTR-ND
Price: 1.824 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

TK13P25D,RQ
Numéro de produit DigiKey	264-TK13P25D,RQTR-ND - Bande et bobine 264-TK13P25D,RQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TK13P25D,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK13P25D,RQ
Description	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 13 A (Ta) 96W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 96W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 250 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13 A (Ta)	Boîtier fournisseur DPAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 250mohms à 6,5A, 10V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2 959

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine