13 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
IRF7413ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Infineon Technologies
9 239
En stock
1 : 0,86000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,20152 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
10mohms à 13A, 10V
2,25V à 25µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS6670A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
4 651
En stock
1 : 1,25000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,32955 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
8mohms à 13A, 10V
3V à 250µA
30 nC @ 5 V
±20V
2220 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS6679AZ
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
2 291
En stock
1 : 1,44000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,38657 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
9,3mohms à 13A, 10V
3V à 250µA
96 nC @ 10 V
±25V
3845 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
14 754
En stock
1 : 2,28000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,66918 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
13 A (Ta)
10V
64mohms à 6,5A, 10V
4V à 300µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
1,6W (Ta), 57W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOP Advance (5x5)
8-PowerVDFN
RQ3E120ATTB
RQ3E130BNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Rohm Semiconductor
3 000
En stock
1 : 0,81000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,19268 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
6mohms à 13A, 10V
2,5V à 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 15 V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-HSMT (3,2x3)
8-PowerVDFN
PG-TO252-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Infineon Technologies
4 370
En stock
1 : 2,01000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,57360 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
13 A (Ta)
13V
280mohms à 4,2A, 13V
3,5V à 350µA
32.6 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 100 V
-
119W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
BA17818FP-E2
RD3P130SPFRATL
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4 423
En stock
1 : 2,51000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,74885 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
13 A (Ta)
4V, 10V
200mohms à 6,5A, 10V
2,5V à 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
BA17818FP-E2
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4 040
En stock
1 : 2,51000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,74779 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
13 A (Ta)
4V, 10V
200mohms à 6,5A, 10V
2,5V à 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TK5P60W5,RVQ
TK13P25D,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
2 026
En stock
1 : 1,32000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,36057 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
250 V
13 A (Ta)
10V
250mohms à 6,5A, 10V
3,5V à 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
96W (Tc)
150°C
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
RXH070N03TB1
RS3E130ATTB1
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Rohm Semiconductor
7 111
En stock
1 : 2,68000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,80401 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
8,5mohms à 13A, 10V
2,5V à 2mA
83 nC @ 10 V
±20V
3730 pF @ 15 V
-
1,4W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOP
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8 SO
DMP3015LSS-13
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Diodes Incorporated
1 099
En stock
15 000
Usine
1 : 1,32000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,35294 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
11mohms à 13A, 10V
2V à 250µA
60.4 nC @ 10 V
±20V
2748 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
RXH070N03TB1
RSS130N03HZGTB
NCH 30V 13A AUTOMOTIVE POWER MOS
Rohm Semiconductor
2 200
En stock
1 : 2,74000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,82932 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4V, 10V
8,3mohms à 13A, 10V
2,5V à 1mA
35 nC @ 5 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
2W (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
8-SOP
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
3 938
En stock
1 : 0,86000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,20152 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
10mohms à 13A, 10V
2,25V à 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-DSO-8-902
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-PowerTDFN
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Infineon Technologies
4 962
En stock
1 : 1,28000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,27154 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
7mohms à 5A, 10V
2V à 250µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
890 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-25
8-PowerTDFN
8 SO
DMP3015LSSQ-13
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Diodes Incorporated
2 483
En stock
172 500
Usine
1 : 1,58000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,43509 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
11mohms à 13A, 10V
2V à 250µA
60.4 nC @ 10 V
±20V
2748 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
110
En stock
1 : 3,45000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
13 A (Ta)
10V
400mohms à 6,5A, 10V
4V à 1mA
38 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 25 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220SIS
Boîtier complet TO-220-3
TEXTISLM3671TLX-1.2/NOPB
BSO065N03MSG
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Infineon Technologies
2 500
Marketplace
1 094 : 0,25904 €
En vrac
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
6,5mohms à 16A, 10V
2V à 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 15 V
-
1,56W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-DSO-8
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
TLC4502QDG4
FDS6294
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fairchild Semiconductor
18 921
Marketplace
962 : 0,29741 €
En vrac
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
11,3mohms à 13A, 10V
3V à 250µA
14 nC @ 5 V
±20V
1205 pF @ 15 V
-
3W (Ta)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
0
En stock
12 500
Marketplace
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
1 094 : 0,25904 €
En vrac
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
En vrac
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
6,5mohms à 16A, 10V
2V à 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 15 V
-
1,56W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-DSO-8
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
ADM709TARZ
IRF7805TRPBF
PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
International Rectifier
1 900
Marketplace
607 : 0,47010 €
En vrac
En vrac
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V
11mohms à 7A, 4,5V
3V à 250µA
31 nC @ 5 V
±12V
-
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ206P
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Fairchild Semiconductor
361 579
Marketplace
544 : 0,52767 €
En vrac
En vrac
Obsolète
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
13 A (Ta)
2,5V, 4,5V
9,5mohms à 13A, 4,5V
1,5V à 250µA
53 nC @ 4.5 V
±12V
4280 pF @ 10 V
-
2,2W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
30-BGA (4x3,5)
30-WFBGA
5 000
Marketplace
508 : 0,56604 €
En vrac
-
En vrac
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
-
10,5mohms à 7A, 10V
2,5V à 1mA
11 nC @ 5 V
-
1270 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montage en surface
8-PSOP
8-SOIC (0,173po, 4,40mm de largeur)
2 180
En stock
1 : 0,85000 €
Bande coupée (CT)
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Obsolète
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
11,5mohms à 12A, 10V
2,5V à 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
910 pF @ 15 V
-
3,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOP
PJL9422_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
7 495
En stock
1 : 0,94000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,23539 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
13 A (Ta)
4,5V, 10V
6,5mohms à 10 A, 10V
2,5V à 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1759 pF @ 25 V
-
2,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOP
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
7 500
Marketplace
296 : 0,97858 €
En vrac
-
En vrac
Obsolète
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13 A (Ta)
-
9mohms à 6,5A, 10V
2,5V à 1mA
67 nC @ 10 V
-
2810 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
Montage en surface
8-PSOP
8-SOIC (0,173po, 4,40mm de largeur)
Affichage de
sur 109

13 A (Ta) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.