Name: TK125A60Z1,S4X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK125A60Z1S4X-ND
Price: 4.176 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

Canal N 600 V 20 A (Ta) 40W (Tc) Trou traversant TO-220SIS

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TK125A60Z1,S4X
Numéro de produit DigiKey	264-TK125A60Z1S4X-ND
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TK125A60Z1,S4X
Description	N-CH MOSFET, 600 V, 0.125 @10V,
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 20 A (Ta) 40W (Tc) Trou traversant TO-220SIS
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 6A, 10V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 730µA
Série DTMOSVI	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1620 pF @ 300 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 40W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement 150°C
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20 A (Ta)	Boîtier fournisseur TO-220SIS
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,48000 €	3,48 €
50	1,76460 €	88,23 €
100	1,59840 €	159,84 €
500	1,30736 €	653,68 €
1 000	1,21388 €	1 213,88 €
2 000	1,13529 €	2 270,58 €
5 000	1,08362 €	5 418,10 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.