20 A (Ta) FET, MOSFET simples

Résultats : 143
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
143Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer
Affichage de
sur 143
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
IRF7832TRPBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
Infineon Technologies
25 320
En stock
1 : 1,05000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,36983 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
4mohms à 20A, 10V
2,32V à 250µA
51 nC @ 4.5 V
±20V
4310 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SO
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
FDS86242
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
onsemi
18 847
En stock
1 : 2,46000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,77964 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
4,6mohms à 20A, 10V
3V à 250µA
260 nC @ 10 V
±25V
7540 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
6-WSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
15 722
En stock
1 : 0,47000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13821 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
20 A (Ta)
1,8V, 4,5V
23,9mohms à 5A, 4,5V
1,1V à 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2,9W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-WSON (2x2)
6-WDFN plot exposé
9 107
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,27349 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
7,1mohms à 10A, 10V
2,5V à 200µA
21 nC @ 10 V
±20V
1290 pF @ 10 V
-
840mW (Ta), 65W (Tc)
175°C
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
8-TSON Advance-WF (3,1x3,1)
8-PowerVDFN
CSD19538Q3AT
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
29 290
En stock
1 : 0,55000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,15783 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
10,2mohms à 8A, 10V
1,9V à 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 29W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
NJVMJD32CG
NTD20N06T4G
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
onsemi
7 734
En stock
1 : 1,37000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,56048 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
20 A (Ta)
10V
46mohms à 10A, 10V
4V à 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 25 V
-
1,88W (Ta), 60W (Tj)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
CSD19538Q3AT
CSD17578Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
10 423
En stock
1 : 0,58000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,17667 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
7,3mohms à 10A, 10V
1,9V à 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 37W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
NJVMJD32CG
NTD20N03L27T4G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
onsemi
2 284
En stock
1 : 1,35000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,43598 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4V, 5V
27mohms à 10A, 5V
2V à 250µA
18.9 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 25 V
-
1,75W (Ta), 74W (Tc)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
22 UFBGA
GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Nexperia USA Inc.
575
En stock
1 : 2,06000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,82645 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
GaNFET (nitrure de gallium)
40 V
20 A (Ta)
5V
4,8mohms à 10A, 5V
2,4V à 1mA
15.8 nC @ 5 V
40V
887 pF @ 20 V
-
13W (Ta)
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
22-WLCSP (2,1x2,1)
22-UFBGA, WLCSP
632
En stock
1 : 2,28000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,67648 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
23mohms à 10A, 10V
2,5V à 1mA
14 nC @ 4.5 V
±20V
2050 pF @ 10 V
-
45W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK
SC-100, SOT-669
3 000
En stock
1 : 3,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,36716 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
20 A (Ta)
10V
85mohms à 10A, 10V
-
19 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 25 V
-
65W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
WPAK(3F) (5x6)
8-PowerVDFN
CSD17313Q2Q1
CSD25310Q2T
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
12 968
En stock
1 : 0,57000 €
Bande coupée (CT)
250 : 0,38680 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
20 A (Ta)
1,8V, 4,5V
23,9mohms à 5A, 4,5V
1,1V à 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2,9W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-WSON (2x2)
6-WDFN plot exposé
9 338
En stock
1 : 0,79000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,29898 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
20 A (Ta)
6V, 10V
22,2mohms à 10A, 10V
3V à 1mA
37 nC @ 10 V
+10V, -20V
1850 pF @ 10 V
-
41W (Tc)
175°C
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
DPAK+
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
BA17818FP-E2
RD3P200SNFRATL
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Rohm Semiconductor
5 417
En stock
1 : 2,64000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,06053 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
20 A (Ta)
4V, 10V
46mohms à 20A, 10V
2,5V à 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
17 474
En stock
1 : 1,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,39062 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
20 A (Ta)
2,5V, 4,5V
5,5mohms à 20A, 4,5V
1,6V à 250µA
43 nC @ 10 V
±12V
4630 pF @ 10 V
-
3,1W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
BA17818FP-E2
RD3P200SNTL1
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Rohm Semiconductor
5 624
En stock
1 : 1,85000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,76386 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
20 A (Ta)
4V, 10V
46mohms à 20A, 10V
2,5V à 1mA
55 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
20W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
5 000
En stock
1 : 2,23000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,63962 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
3,8mohms à 10A, 10V
-
25 nC @ 4.5 V
±20V
3850 pF @ 10 V
-
2,5W (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOP
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
4 506
En stock
1 : 2,85000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,89569 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
20 A (Ta)
10V
22mohms à 10A, 10V
-
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK
SC-100, SOT-669
CSD19538Q3AT
CSD17579Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4 866
En stock
1 : 0,91000 €
Bande coupée (CT)
250 : 0,44212 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
10,2mohms à 8A, 10V
1,9V à 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 29W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
BA17818FP-E2
RD3H200SNTL1
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Rohm Semiconductor
2 929
En stock
1 : 1,44000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,53420 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
45 V
20 A (Ta)
4V, 10V
28mohms à 20A, 10V
2,5V à 1mA
12 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 10 V
-
20W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
CSD19538Q3AT
CSD17578Q3AT
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
4 112
En stock
1 : 1,56000 €
Bande coupée (CT)
250 : 0,58024 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
7,3mohms à 10A, 10V
1,9V à 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 37W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSONP (3x3,3)
8-PowerVDFN
6 572
En stock
1 : 2,44000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,93635 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
20mohms à 10A, 10V
-
29 nC @ 4.5 V
±20V
4160 pF @ 10 V
-
55W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
LFPAK
SC-100, SOT-669
4 812
En stock
1 : 3,60000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 1,51662 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
20 A (Ta)
10V
190mohms à 10A, 10V
4,5V à 1mA
55 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 300 V
-
156W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
4-DFN-EP (8x8)
4-VSFN plot exposé
SOT 1023
NVMYS4D5N04CTWG
T6 40V SL LFPAK
onsemi
2 960
En stock
1 : 0,98000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38945 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
20 A (Ta)
10V
4,5mohms à 35A, 10V
3,5V à 50µA
18 nC @ 10 V
20V
1150 pF @ 25 V
-
3,6W (Ta), 55W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
LFPAK4 (5x6)
SOT-1023, 4-LFPAK
2 970
En stock
1 : 1,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,35684 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Ta)
4,5V, 10V
6,3mohms à 10A, 10V
2,3V à 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 15 V
-
700mW (Ta), 19W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-TSON Advance (3,1x3,1)
8-PowerVDFN
Affichage de
sur 143

20 A (Ta) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.