Name: TJ200F04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND
Price: 4.524 EUR
Availability: InStock

Canal P 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Montage en surface TO-220SM(W)

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TJ200F04M3L,LXHQ
Numéro de produit DigiKey	264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND - Bande et bobine 264-TJ200F04M3LLXHQCT-ND - Bande coupée (CT) 264-TJ200F04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	TJ200F04M3L,LXHQ
Description	MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Montage en surface TO-220SM(W)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 460 nC @ 10 V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) +10V, -20V
Série U-MOSVI	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1280 pF @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement 175°C
Type de FET Canal P	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200 A (Ta)	Boîtier fournisseur TO-220SM(W)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,8mohms à 100A, 10V	Numéro de produit de base TJ200F04
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 1mA