Name: SSM3J356R,LXHF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J356R,LXHFTR-ND
Price: 0.66 EUR
Availability: InStock

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SSM3J356R,LXHF
Numéro de produit DigiKey	264-SSM3J356R,LXHFTR-ND - Bande et bobine 264-SSM3J356R,LXHFCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J356R,LXHF
Description	AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 2 A (Ta) 1W (Ta) Montage en surface SOT-23F
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 1mA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8.3 nC @ 10 V
Série U-MOSVI	Vgs (max.) +10V, -20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 330 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement 150°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V	Boîtier fournisseur SOT-23F
Rds On (max.) à Id, Vgs 300mohms à 1A, 10V	Boîtier SOT-23-3 broches plates

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Documents et supports

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Bande coupée (CT)

Bande et bobine