Name: SSM3J325F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J325FLFTR-ND
Price: 0.348 EUR
Availability: InStock

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SSM3J325F,LF
Numéro de produit DigiKey	SSM3J325FLFTR-ND - Bande et bobine SSM3J325FLFCT-ND - Bande coupée (CT) SSM3J325FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	SSM3J325F,LF
Description	MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface S-mini
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SSM3J325F,LF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	U-MOSVI
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	270 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	600mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	S-mini
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	SSM3J325

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