Name: 2SK2009TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK2009TE85LFTR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: InStock

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2SK2009TE85LF
Numéro de produit DigiKey	2SK2009TE85LFTR-ND - Bande et bobine 2SK2009TE85LFCT-ND - Bande coupée (CT) 2SK2009TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	2SK2009TE85LF
Description	MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Montage en surface SC-59-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 100µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 70 pF @ 3 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 200mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur SC-59-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 200mA (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V	Numéro de produit de base 2SK2009
Rds On (max.) à Id, Vgs 2ohms à 50mA, 2,5V

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