Name: 2SK2009TE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK2009TE85LFTR-ND
Price: 0.744 EUR
Availability: InStock

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2SK2009TE85LF
Numéro de produit DigiKey	2SK2009TE85LFTR-ND - Bande et bobine 2SK2009TE85LFCT-ND - Bande coupée (CT) 2SK2009TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	2SK2009TE85LF
Description	MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Montage en surface SC-59-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2ohms à 50mA, 2,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 100µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	70 pF @ 3 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	200mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-59-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	2SK2009