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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
TPS1101DR | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TPS1101DR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TPS1101DR |
Description | MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 6 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 15 V 2,3 A (Ta) 791mW (Ta) Montage en surface 8-SOIC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | TPS1101DR Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 15 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 2,7V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 90mohms à 2,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11.25 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | +2V, -15V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 791mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-SOIC | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 500 | 0,98431 € | 2 460,78 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,98431 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,18117 € |
France