Name: STH315N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14718-2-ND
Price: 5.664 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STH315N10F7-2
Numéro de produit DigiKey	497-14718-2-ND - Bande et bobine 497-14718-1-ND - Bande coupée (CT) 497-14718-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STH315N10F7-2
Description	MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 315W (Tc) Montage en surface H2PAK-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180 nC @ 10 V
Fabricant STMicroelectronics	Vgs (max.) ±20V
Série DeepGATE™, STripFET™ VII	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 12800 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 315W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Boîtier fournisseur H2PAK-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 60A, 10V	Numéro de produit de base STH315
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA