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Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

STB140NF55T4
STMicroelectronics
En stock: 1 625
Prix unitaire : 1,47000 €
Fiche technique

Direct

SPB80N06S08ATMA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire

AUIRL3705ZSTRL
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire

BUK9608-55A,118
Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire

HUF75345S3ST
onsemi
En stock: 2 085
Prix unitaire : 6,56000 €
Fiche technique

Similaire

IPB45N06S4L08ATMA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire

IRF1010EZSPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Similaire

IRF1010EZSTRLP
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 1,41000 €
Fiche technique

Similaire

IRF1010ZSTRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 616
Prix unitaire : 2,42000 €
Fiche technique

Similaire

IRF1018ESTRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 566
Prix unitaire : 1,83000 €
Fiche technique

Similaire

IRF1407STRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 9 721
Prix unitaire : 1,96000 €
Fiche technique

Similaire

IRF2807ZSTRL
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 0,97665 €
Fiche technique

Similaire

IRF2807ZSTRLPBF
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 2,73000 €
Fiche technique

Similaire

IRF2807ZSTRR
Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 0,97665 €
Fiche technique
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D²PAK
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
D²PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB141NF55

Numéro de produit DigiKey
STB141NF55-ND - Bande et bobine
Fabricant
STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant
STB141NF55
Description
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
13 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
STB141NF55 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
STMicroelectronics
Série
STripFET™ II
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
142 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
5300 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB141
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0001,03493 €1 034,93 €
2 0000,97272 €1 945,44 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,03493 €
Prix unitaire avec TVA:1,24192 €