IRF1018ESTRLPBF Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IRF1018ESTRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF1018ESTRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRF1018ESTRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF1018ESTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF1018ESTRLPBF
Description	MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 79 A (Tc) 110W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF1018ESTRLPBF Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	79 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,4mohms à 47A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2290 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IRF1018

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)