
SCTWA60N120G2-4 | |
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Numéro de produit DigiKey | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SCTWA60N120G2-4 |
Description | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Trou traversant TO-247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SCTWA60N120G2-4 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Date de dernière disponibilité | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 52mohms à 30A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 94 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +22V, -10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1969 pF @ 800 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 388W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | TO-247-4 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 15,15000 € | 15,15 € |
| 10 | 12,04300 € | 120,43 € |
| 30 | 11,13533 € | 334,06 € |
| 120 | 10,32475 € | 1 238,97 € |
| 270 | 9,97789 € | 2 694,03 € |
| 510 | 9,75608 € | 4 975,60 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 15,15000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 18,18000 € |

