Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 18.312 EUR
Availability: InStock

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SCTWA60N120G2-4
Numéro de produit DigiKey	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	SCTWA60N120G2-4
Description	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Trou traversant TO-247-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SCTWA60N120G2-4 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	STMicroelectronics
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 30A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	94 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1969 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	388W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 200°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-4
Boîtier	TO-247-4

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En stock: 229

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Date de dernière disponibilité : 15/02/2026

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	15,26000 €	15,26 €
10	12,13300 €	121,33 €
30	11,21867 €	336,56 €
120	10,40183 €	1 248,22 €
270	10,05237 €	2 714,14 €
510	9,82890 €	5 012,74 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.