Canal P 20 V 13,5 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
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SI4467DY

Numéro de produit DigiKey
2156-SI4467DY-ND
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
SI4467DY
Description
P-CHANNEL POWER MOSFET
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 13,5 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Série
PowerTrench®
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
8,5mohms à 13,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
120 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8237 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,2W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
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