Name: NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND
Price: 6.12 EUR
Availability: InStock

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NVMTSC1D3N08M7TXG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMTSC1D3N08M7TXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMTSC1D3N08M7TXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTSC1D3N08M7TXG
Description	MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 46A (Ta), 348A (Tc) 5,1W (Ta), 287W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	46A (Ta), 348A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,25mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	196 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14530 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5,1W (Ta), 287W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFNW (8,3x8,4)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	NVMTSC1