Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 6.816 EUR
Availability: InStock

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NVMTS1D2N08H
Numéro de produit DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Bande et bobine 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTS1D2N08H
Description	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMTS1D2N08H Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	43,5A (Ta), 337A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,1mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 590µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	147 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10100 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFNW (8,3x8,4)
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	NVMTS1