Name: NVMTS0D7N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: NVMTS0D7N04CTXGOSTR-ND
Price: 10.404 EUR
Availability: InStock

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NVMTS0D7N04CTXG
Numéro de produit DigiKey	NVMTS0D7N04CTXGOSTR-ND - Bande et bobine NVMTS0D7N04CTXGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMTS0D7N04CTXGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTS0D7N04CTXG
Description	MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 51A (Ta), 430A (Tc) 3,9W (Ta), 273W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 140 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9281 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,9W (Ta), 273W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51A (Ta), 430A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,67mohms à 50A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA	Numéro de produit de base NVMTS0

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En stock: 2 730

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	3,67136 €	11 014,08 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	8,67000 €
Prix unitaire avec TVA:	10,40400 €

NVMTS0D7N04CTXG