Name: NVJS4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NVJS4151PT1GOSTR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: InStock

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NVJS4151PT1G
Numéro de produit DigiKey	NVJS4151PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVJS4151PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVJS4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVJS4151PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 3,2 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVJS4151PT1G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 4.5 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±12V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 850 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,2 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Boîtier fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Rds On (max.) à Id, Vgs 67mohms à 2,9A, 4,5V	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA	Numéro de produit de base NVJS4151

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Documents et supports

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,18508 €	555,24 €
6 000	0,18154 €	1 089,24 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,82000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,98400 €

NVJS4151PT1G