Name: NVD5117PLT4G-VF01
Brand: onsemi
SKU: NVD5117PLT4G-VF01TR-ND
Price: 3.996 EUR
Availability: InStock

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NVD5117PLT4G-VF01
Numéro de produit DigiKey	NVD5117PLT4G-VF01TR-ND - Bande et bobine NVD5117PLT4G-VF01CT-ND - Bande coupée (CT) NVD5117PLT4G-VF01DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVD5117PLT4G-VF01
Description	MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 11 A (Ta), 61 A (Tc) 4,1W (Ta), 118W (Tc) Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4800 pF @ 25 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 4,1W (Ta), 118W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Ta), 61 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur DPAK
Rds On (max.) à Id, Vgs 16mohms à 29A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base NVD5117

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (33)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDD6670A	onsemi	151	FDD6670ACT-ND	36,96000 €	Similaire
FDD8647L	onsemi	142	FDD8647LCT-ND	40,11000 €	Similaire
FDD8880	onsemi	1 817	FDD8880CT-ND	26,88000 €	Similaire
RFD16N06LESM9A	onsemi	1 238	RFD16N06LESM9ACT-ND	58,37000 €	Similaire
AOD2606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1477-2-ND	15,84509 €	Similaire