Name: NTZS3151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZS3151PT1GOSTR-ND
Price: 0.432 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTZS3151PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTZS3151PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTZS3151PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTZS3151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTZS3151PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Montage en surface SOT-563
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.6 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 458 pF @ 16 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 170mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 860mA (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-563
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier SOT-563, SOT-666
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 950mA, 4,5V	Numéro de produit de base NTZS3151