Name: NTTFS115P10M5
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS115P10M5TR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTTFS115P10M5
Numéro de produit DigiKey	488-NTTFS115P10M5TR-ND - Bande et bobine 488-NTTFS115P10M5CT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTTFS115P10M5DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFS115P10M5
Description	MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 2A (Ta), 13A (Tc) 900mW (Ta), 41W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2A (Ta), 13A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	120mohms à 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 45µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	637 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	900mW (Ta), 41W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	NTTFS1