Name: NTS2101PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTS2101PT1GOSTR-ND
Price: 0.564 EUR
Availability: InStock

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NTS2101PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTS2101PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTS2101PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTS2101PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTS2101PT1G
Description	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 8 V 1,4 A (Ta) 290mW (Ta) Montage en surface SC-70-3 (SOT323)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTS2101PT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	8 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	100mohms à 1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	640 pF @ 8 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	290mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-70-3 (SOT323)
Boîtier	SC-70, SOT-323
Numéro de produit de base	NTS2101

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