Canal N 30 V 10A 860mW (Ta) Montage en surface 8-SOIC
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NTMS4704NR2

Numéro de produit DigiKey
488-NTMS4704NR2-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTMS4704NR2
Description
POWER MOSFET 30 V, 12.3 A, SINGL
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 10A 860mW (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9,5mohms à 12,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1225 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
860mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
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