Name: NTLJS2103PTBG
Brand: onsemi
SKU: NTLJS2103PTBGOSTR-ND
Price: 1.104 EUR
Availability: InStock

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NTLJS2103PTBG
Numéro de produit DigiKey	NTLJS2103PTBGOSTR-ND - Bande et bobine NTLJS2103PTBGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTLJS2103PTBGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTLJS2103PTBG
Description	MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 3,5 A (Ta) 700mW (Ta) Montage en surface 6-WDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 800mV à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 4.5 V
Série µCool™	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1157 pF @ 6 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 700mW (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Boîtier fournisseur 6-WDFN (2x2)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,5 A (Ta)	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 4,5V	Numéro de produit de base NTLJS2103
Rds On (max.) à Id, Vgs 40mohms à 3A, 4,5V