Name: NTGS5120PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGS5120PT1GOSTR-ND
Price: 0.804 EUR
Availability: InStock

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NTGS5120PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTGS5120PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTGS5120PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTGS5120PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTGS5120PT1G
Description	MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 1,8 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTGS5120PT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	111mohms à 2,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	942 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	600mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	NTGS5120

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