Name: NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 488-NTBL023N065M3S-ND
Price: 16.26 EUR
Availability: InStock

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NTBL023N065M3S
Numéro de produit DigiKey	488-NTBL023N065M3S-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTBL023N065M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 77 A (Tc) 312W (Tc) Montage en surface 8-HPSOF
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	77 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	32,6mohms à 20A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 10mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	69 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1950 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	312W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-HPSOF
Boîtier	8-PowerSFN