Name: NTMT045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTMT045N065SC1TR-ND
Price: 12.9 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTMT045N065SC1
Numéro de produit DigiKey	5556-NTMT045N065SC1TR-ND - Bande et bobine 5556-NTMT045N065SC1CT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NTMT045N065SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMT045N065SC1
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 55 A (Tc) 187W (Tc) Montage en surface 4-TDFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	55 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 25A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	105 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+22V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1870 pF @ 325 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	187W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-TDFN (8x8)
Boîtier	4-PowerTSFN
Numéro de produit de base	NTMT045