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MTB50P03HDLT4G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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MTB50P03HDLT4G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | MTB50P03HDLT4GOSTR-ND - Bande et bobine MTB50P03HDLT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | MTB50P03HDLT4G |
Description | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 50 A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface D2PAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 5 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Vgs (max.) ±15V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4900 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur D2PAK |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mohms à 25A, 5V | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF5210STRLPBF | Infineon Technologies | 8 302 | IRF5210STRLPBFCT-ND | 4,25000 € | Similaire |
| IXTA76P10T | IXYS | 359 | 238-IXTA76P10T-ND | 7,84000 € | Similaire |
| SPD50P03LGBTMA1 | Infineon Technologies | 2 664 | SPD50P03LGBTMA1CT-ND | 3,32000 € | Similaire |
| SUM110P04-04L-E3 | Vishay Siliconix | 8 625 | SUM110P04-04L-E3CT-ND | 5,16000 € | Similaire |
Obsolète
Non annulable/Non remboursable
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