Name: FQD8P10TM
Brand: onsemi
SKU: FQD8P10TMTR-ND
Price: 1.32 EUR
Availability: InStock

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FQD8P10TM
Numéro de produit DigiKey	FQD8P10TMTR-ND - Bande et bobine FQD8P10TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQD8P10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD8P10TM
Description	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 6,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 44W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 470 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 44W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,6 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQD8P10
Rds On (max.) à Id, Vgs 530mohms à 3,3A, 10V