Name: FQB47P06TM-AM002
Brand: onsemi
SKU: FQB47P06TM-AM002TR-ND
Price: 5.076 EUR
Availability: InStock

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FQB47P06TM-AM002
Numéro de produit DigiKey	FQB47P06TM-AM002TR-ND - Bande et bobine FQB47P06TM-AM002CT-ND - Bande coupée (CT) FQB47P06TM-AM002DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB47P06TM-AM002
Description	MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 47 A (Tc) 3,75W (Ta), 160W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQB47P06TM-AM002 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3600 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,75W (Ta), 160W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQB47P06
Rds On (max.) à Id, Vgs 26mohms à 23,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IRF5210STRLPBF	Infineon Technologies	5 444	IRF5210STRLPBFCT-ND	3,60000 €	Similaire
NP100P06PDG-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	882	559-NP100P06PDG-E1-AYCT-ND	5,60000 €	Similaire