Name: FDV303N
Brand: onsemi
SKU: FDV303NTR-ND
Price: 0.36 EUR
Availability: InStock

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FDV303N
Numéro de produit DigiKey	FDV303NTR-ND - Bande et bobine FDV303NCT-ND - Bande coupée (CT) FDV303NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDV303N
Description	MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDV303N Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	680mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,7V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	450mohms à 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	50 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	FDV303