Name: FDT458P
Brand: onsemi
SKU: FDT458PTR-ND
Price: 1.296 EUR
Availability: InStock

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FDT458P
Numéro de produit DigiKey	FDT458PTR-ND - Bande et bobine FDT458PCT-ND - Bande coupée (CT) FDT458PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDT458P
Description	MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 3,4 A (Ta) 3W (Ta) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3.5 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 205 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur SOT-223-4
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,4 A (Ta)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDT458
Rds On (max.) à Id, Vgs 130mohms à 3,4A, 10V