Name: FDS5672
Brand: onsemi
SKU: FDS5672TR-ND
Price: 2.52 EUR
Availability: InStock

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FDS5672
Numéro de produit DigiKey	FDS5672TR-ND - Bande et bobine FDS5672CT-ND - Bande coupée (CT) FDS5672DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS5672
Description	MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 12 A (Tc) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2200 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	FDS56