Name: FDS4465
Brand: onsemi
SKU: FDS4465TR-ND
Price: 2.088 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDS4465
Numéro de produit DigiKey	FDS4465TR-ND - Bande et bobine FDS4465CT-ND - Bande coupée (CT) FDS4465DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS4465
Description	MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 13,5 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDS4465 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,5mohms à 13,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	120 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8237 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	FDS44