FDS3512 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDS3512
Numéro de produit DigiKey	FDS3512TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS3512
Description	MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 4 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 634 pF @ 40 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Ta)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDS35
Rds On (max.) à Id, Vgs 70mohms à 4A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDS3590	onsemi	2 485	FDS3590CT-ND	1,36000 €	Recommandation fabricant
RS6N120BHTB1	Rohm Semiconductor	2 504	846-RS6N120BHTB1CT-ND	3,30000 €	Similaire

Obsolète

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