Name: FDMS86180
Brand: onsemi
SKU: FDMS86180TR-ND
Price: 7.116 EUR
Availability: InStock

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FDMS86180
Numéro de produit DigiKey	FDMS86180TR-ND - Bande et bobine FDMS86180CT-ND - Bande coupée (CT) FDMS86180DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS86180
Description	MOSFET N-CH 100V 151A POWER56
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	44 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 151 A (Tc) 138W (Tc) Montage en surface Power56
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 370µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 54 nC @ 6 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6215 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 138W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur Power56
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 151 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDMS86
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,2mohms à 67A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
RBE029N10R1SZN6#HB0	Renesas Electronics Corporation	4 280	559-RBE029N10R1SZN6#HB0CT-ND	2,66000 €	Similaire
SQJQ480E-T1_GE3	Vishay Siliconix	4 203	SQJQ480E-T1_GE3CT-ND	3,68000 €	Similaire