Name: FDMC6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC6675BZTR-ND
Price: 1.812 EUR
Availability: InStock

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FDMC6675BZ
Numéro de produit DigiKey	FDMC6675BZTR-ND - Bande et bobine FDMC6675BZCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC6675BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC6675BZ
Description	MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 9,5 A (Ta), 20 A (Tc) 2,3W (Ta), 36W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,5 A (Ta), 20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,4mohms à 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2865 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,3W (Ta), 36W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-MLP (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	FDMC6675