Name: FDMC4435BZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC4435BZTR-ND
Price: 1.788 EUR
Availability: InStock

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FDMC4435BZ
Numéro de produit DigiKey	FDMC4435BZTR-ND - Bande et bobine FDMC4435BZCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC4435BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC4435BZ
Description	MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 8,5 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 31W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 46 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2045 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,3W (Ta), 31W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-MLP (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,5 A (Ta), 18 A (Tc)	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDMC4435
Rds On (max.) à Id, Vgs 20mohms à 8,5A, 10V