Name: FDMA291P
Brand: onsemi
SKU: FDMA291PTR-ND
Price: 0.876 EUR
Availability: InStock

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FDMA291P
Numéro de produit DigiKey	FDMA291PTR-ND - Bande et bobine FDMA291PCT-ND - Bande coupée (CT) FDMA291PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMA291P
Description	MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 6,6 A (Ta) 2,4W (Ta) Montage en surface 6-MicroFET (2x2)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	42mohms à 6,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,4W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-MicroFET (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Numéro de produit de base	FDMA291

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