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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FDD86580-F085 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDD86580-F085TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDD86580-F085 |
Description | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 50 A (Tc) 75W (Tj) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1430 pF @ 30 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 75W (Tj) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 50A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 250µA |
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Substituts (13)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS9D3N06CLTWG | onsemi | 1 073 | 488-NVMYS9D3N06CLTWGCT-ND | 1,44000 € | Recommandation fabricant |
| AOD442 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 317 117 | 785-1107-1-ND | 1,11000 € | Similaire |
| DMN6017SK3-13 | Diodes Incorporated | 159 | 31-DMN6017SK3-13CT-ND | 0,87000 € | Similaire |
| DMNH6021SK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMNH6021SK3-13-ND | 0,27486 € | Similaire |
| DMNH6021SK3Q-13 | Diodes Incorporated | 2 912 | DMNH6021SK3Q-13DICT-ND | 1,27000 € | Similaire |
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