Name: IPD30N08S222ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD30N08S222ATMA1TR-ND
Price: 3.036 EUR
Availability: InStock

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IPD30N08S222ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD30N08S222ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD30N08S222ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD30N08S222ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD30N08S222ATMA1
Description	MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 30 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD30N08S222ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 57 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 21,5mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base IPD30N08
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 80µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN6017SK3-13	Diodes Incorporated	159	31-DMN6017SK3-13CT-ND	0,87000 €	Similaire
STD35NF06LT4	STMicroelectronics	42 397	497-7965-1-ND	1,85000 €	Similaire
STD45NF75T4	STMicroelectronics	9 947	497-4334-1-ND	2,23000 €	Similaire