FDD86569-F085 onsemi | FET, MOSFET simples

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FDD86569-F085
Numéro de produit DigiKey	FDD86569-F085TR-ND - Bande et bobine FDD86569-F085CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD86569-F085
Description	MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 90 A (Tc) 150W (Tj) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD86569-F085 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Série PowerTrench®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2520 pF @ 30 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Dissipation de puissance (max.) 150W (Tj)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,7mohms à 80A, 10V	Numéro de produit de base FDD86569
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (11)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
AOD2606	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1477-2-ND	0,64134 €	Similaire
DMTH6005LK3-13	Diodes Incorporated	19 654	DMTH6005LK3-13DICT-ND	1,56000 €	Similaire
DMTH6005LK3Q-13	Diodes Incorporated	0	DMTH6005LK3Q-13DICT-ND	1,68000 €	Similaire
IPD50N06S4L08ATMA2	Infineon Technologies	4 830	448-IPD50N06S4L08ATMA2CT-ND	1,54000 €	Similaire
IPD90N06S407ATMA2	Infineon Technologies	19 230	448-IPD90N06S407ATMA2CT-ND	1,67000 €	Similaire