Name: FDD306P
Brand: onsemi
SKU: FDD306PTR-ND
Price: 1.572 EUR
Availability: InStock

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FDD306P
Numéro de produit DigiKey	FDD306PTR-ND - Bande et bobine FDD306PCT-ND - Bande coupée (CT) FDD306PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD306P
Description	MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 6,7 A (Ta) 52W (Ta) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDD306P Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 6,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1290 pF @ 6 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	52W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD306