FCPF190N60-F152 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 1,85895 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 119
Prix unitaire : 2,97000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 87
Prix unitaire : 1,98000 €
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 273
Prix unitaire : 5,37000 €
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 291
Prix unitaire : 5,21000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 243
Prix unitaire : 4,05000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 196
Prix unitaire : 3,49000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 181
Prix unitaire : 3,02000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 1 933
Prix unitaire : 4,50000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 4,39000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 5 136
Prix unitaire : 4,51000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,92108 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 761
Prix unitaire : 3,66000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 867
Prix unitaire : 3,03000 €
Fiche technique
Canal N 600 V 20,2 A (Tc) 39W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FCPF190N60-F152

Numéro de produit DigiKey
FCPF190N60-F152-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FCPF190N60-F152
Description
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 20,2 A (Tc) 39W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
199mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2950 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
39W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220F-3
Boîtier
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.