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Équivalent paramétrique

SIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix
En stock: 1 487
Prix unitaire : 4,28000 €
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IXKC15N60C5
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Prix unitaire : 3,14000 €
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En stock: 2 000
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En stock: 2 000
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TSM60NE285CIT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
En stock: 2 000
Prix unitaire : 3,53000 €
Fiche technique
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SIHA22N60EL-E3
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SIHA22N60E-E3

Numéro de produit DigiKey
SIHA22N60E-E3-ND
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIHA22N60E-E3
Description
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
25 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIHA22N60E-E3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
180mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1920 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
Boîtier complet TO-220
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base
SIHA22
Questions et réponses sur les produits

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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,18000 €4,18 €
502,16280 €108,14 €
1001,96790 €196,79 €
5001,62684 €813,42 €
1 0001,51731 €1 517,31 €
2 0001,51148 €3 022,96 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:4,18000 €
Prix unitaire avec TVA:5,01600 €