Name: BVSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BVSS123LT1GOSTR-ND
Price: 0.408 EUR
Availability: InStock

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BVSS123LT1G
Numéro de produit DigiKey	BVSS123LT1GOSTR-ND - Bande et bobine BVSS123LT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) BVSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	BVSS123LT1G
Description	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BVSS123LT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	170mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6ohms à 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 1mA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	20 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	225mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	BVSS123