Canal N 100 V 26 A (Ta) 1,65W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface SMP-FD
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2SK3820-DL-E

Numéro de produit DigiKey
2SK3820-DL-E-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
2SK3820-DL-E
Description
MOSFET N-CH 100V 26A SMP-FD
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 26 A (Ta) 1,65W (Ta), 50W (Tc) Montage en surface SMP-FD
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
26 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
60mohms à 13A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2150 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,65W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SMP-FD
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
2SK3820
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Obsolète
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