PMV75UP,215 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

Canal P 20 V 2,5 A (Ta) 490mW (Ta), 5W (Tc) Montage en surface TO-236AB

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PMV75UP,215
Numéro de produit DigiKey	1727-2312-2-ND - Bande et bobine 1727-2312-1-ND - Bande coupée (CT) 1727-2312-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PMV75UP,215
Description	MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2,5 A (Ta) 490mW (Ta), 5W (Tc) Montage en surface TO-236AB
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	PMV75UP,215 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 900mV à 250µA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 550 pF @ 10 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 490mW (Ta), 5W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,5 A (Ta)	Boîtier fournisseur TO-236AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 102mohms à 2,5A, 4,5V	Numéro de produit de base PMV75

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NTRV4101PT1G	onsemi	36 385	488-NTRV4101PT1GCT-ND	0,75000 €	Similaire
PJA3413_R1_00001	Panjit International Inc.	12 261	3757-PJA3413_R1_00001CT-ND	0,20000 €	Similaire
SI2301CDS-T1-E3	Vishay Siliconix	79 993	SI2301CDS-T1-E3CT-ND	0,65000 €	Similaire

En stock: 811

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

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